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한국신재생에너지학회 한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집 한국신재생에너지학회 2007년도 춘계학술대회
발행연도
2007.6
수록면
326 - 329 (4page)

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CuInS₂ thin films were synthesized by sulpurization of Cu/In Stacked elemental layer deposited onto glass Substrates by vacuum furnace annealing at temperature 200[?C]. And structural and electrical properties were measured in order to certify optimum conditions for growth of the ternary compound semiconductor CuInS₂ thin films with non-stoichiometry composition. CuInS₂ thin film was well made at the heat treatment 200[?C] of SLG/Cu/ln/S stacked elemental layer which was prepared by thermal evaporator, and chemical composition of the thin film was analyzed nearly as the proportion of 1 : 1 : 2. Physical properties of the thin film were investigated at various fabrication conditions substrate temperature, annealing and temperature, annealing time by XRD, FE-SEM and Hall measurement system. At the same time, carrier concentration, hall mobility and resistivity of the thin films was 9.10568{times}10<sup>17</sup> [cm<sup>-3</sup>], 312.502 [cm²/V·s] and 2.36X10<sup>-2</sup> [ω·cm], respectively.
#CuInS₂ #non-Stoichiometry #ternary compound

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