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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 810 - 814 (5page)
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Pb(Zr0.2Ti0.8)O3/SrRuO3 heteroepitaxial thin films were deposited at various temperatures on single crystal SrTiO3 substrates by pulsed laser deposition and characterized for the microstructural and ferroelectric properties. The SrTiO3 substartes etched by buffered oxide etch (pH5.8) solution for 20 s followed by the thermal annealing at 1000 ℃ for 1 h showed the terrace ledges with a 0.4 nm height. The SrRuO3 bottom electrodes with a thickness of 52 nm grown on SrTiO3 single crystal also exhibit a terrace ledge similar to that of SrTiO3. The PZT thin films were grown with an epitaxial relationship and showed typical P-E hysteresis loops shown at the epitaxial films. The 56 nm thick-PZT films deposited at 650 oC exhibit a remanent polarization (Pr) of 80 μC/cm2 and a coercive field (Ec) of 160 kV/cm.
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/ 1993. / Fabrication and properties of epitaxial ferroelectric hetero- structures with 63 : 2570 ~
/ 1994. / Preparation of Pb O3 thin films on electrodes including IrO2 65 : 1522 ~
/ 1995. / Influence of platinum inter- layers on the electrical properties of RuO2/ PZT/RuO2 capacitor heterostructures 66 (2) : 239 ~
/ 2002. / Epitaxial growth and ferroelectric properties of the 20-nm-thick Pb O3 film on SrTiO3 with an atomically flat surface by metalorganic chemical vapor deposition 41 :
/ 2005. / Fabrication and thickness de- pendent properties of ferroelectric hetero- structure J. of Kor. Phys. Soc. 46 : 55 ~
/ 1994. / Preparation of Pb O3 thin films on electrodes including IrO2 65 : 1522 ~
/ 1995. / Influence of platinum inter- layers on the electrical properties of RuO2/ PZT/RuO2 capacitor heterostructures 66 (2) : 239 ~
/ 2002. / Epitaxial growth and ferroelectric properties of the 20-nm-thick Pb O3 film on SrTiO3 with an atomically flat surface by metalorganic chemical vapor deposition 41 :
/ 2005. / Fabrication and thickness de- pendent properties of ferroelectric hetero- structure J. of Kor. Phys. Soc. 46 : 55 ~
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