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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 105 - 108 (4page)
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The Pb(Zr,Ti)O3 thin films were fabricated with Pb(La,Ti)O3 buffers in-situ onto Pt/Ti/SiO2/Si substrates by pulsed laser deposition method. We have observed the increase of the remanent polarization using PLT buffers. The remanent polarization value of 33.4 μC/cm2 and the coercive field value of 66.4 kV/cm were obtained when the PLT buffer was deposited for 15 seconds. Enhancement of the polarization is resulted from the enhanced orientation of PZT thin film because of the PLT buffer layer.
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/ 1989. / Ferroelectric memories 246 (4936) : 1400 ~
/ 1994. / 졸-겔법으로 형성한 강유전체 PZT 박막의 고온 단시간 열처리 효과 및 전자 디바이스에서의 응용 7 (2) : 152 ~
/ 1995. / The effects of La concentration on the properties of PLT thin films from the perspective of DRAM application 361 : 281 ~
/ 1999. / PZT 강유전체 박막 캐패시터와 하부전극에 관한 연구 12 (7) : 592 ~
/ 2001. / BaPbO3 perovskite electrode for lead zirco- nate titanate ferroelectric thin films 79 (22) : 3669 ~
/ 1994. / 졸-겔법으로 형성한 강유전체 PZT 박막의 고온 단시간 열처리 효과 및 전자 디바이스에서의 응용 7 (2) : 152 ~
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/ 1999. / PZT 강유전체 박막 캐패시터와 하부전극에 관한 연구 12 (7) : 592 ~
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