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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제8호
발행연도
2004.1
수록면
823 - 829 (7page)

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In this paper, non-self-aligned SiGe HBTs with fT and fmax above 50 GHz have been fabricated using an RPCVD(Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition) system for wireless applications. In the proposed structure, in-situ boron doped selective epitaxial growth(BDSEG) and TiSi2 were used for the base electrode to reduce base resistance and in-situ phosphorus doped polysilicon was used for the emitter electrode to reduce emitter resistance. SiGe base profiles and collector design methodology to increase fT and fmax are discussed in detail. Two SiGe HBTs with the collector-emitter breakdown voltages (BVCEO) of 3 V and 6 V were fabricated using SIC(selective ion-implanted collector) implantation. Fabricated SiGe HBTs have a current gain of 265 ～ 285 and Early voltage (VA) of 102 ～ 120 V, respectively. For the 1×8 ㎛2 emitter, a SiGe HBT with BVCEO = 6 V shows a cut-off frequency, fT of 24.3 GHz and a maximum oscillation frequency, fmax of 47.6 GHz at IC of 3.7 mA and VCE of 4 V. A SiGe HBT with BVCEO = 3 V shows fT of 50.8 GHz and fmax of 52.2 GHz at IC of 14.7 mA and VCE of 2 V.
#SiGe #SiGe HBT #RPCVD #IDP

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/ 1987. / Silicon-ger- manium base heterojunction bipolar tran- sistors by molecular beam epitaxy : 874 ~ google schola / 1994. / A 200 mm SiGe-HBT technology for wireless and mixed-signal applications : 437 ~ google schola / 1995. / Very-high-speed silicon bipolar transistors with in-situ doped poly- silicon emitter ans rapid vapor-phase doping base 42 : 406 ~ google schola / 1996. / Interface controlled IDP processes technology for 0.3 ㎛ high-speed bipolar and BiCMOS LSIs : 181 ~ google schola / 1997. / Scaling issues and Ge profile optimization in advanced UHV/CVD SiGe HBTs 44 : 431 ~ google schola

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