8 GHz대 SiGe HBT MMIC 가변이득 증폭기 설계

김상모 ,  김창우

한국통신학회 학술대회논문집

2004 .07

Feedforward 구조를 이용한 광대역 SiGe HBT 가변 이득 증폭기의 설계 및 제작

채규성 ,  김창우

한국통신학회논문지

2007 .05

SiGe HBT를 이용한 50 MHz~3 GHz 대역폭의 광대역 증폭기 IC 설계 ( The Design of 50 MHz~3 GHz Wide-band Amplifier IC using SiGe HBT )

이호성 ,  박수균 ,  김병성

한국전자파학회논문지

2002 .01

1-l0GHz 대역에서의 SiGe HBT′s 소신호 입력 임피던스 Parameter 추출 방법

김도형 ,  이상흥 ,  구용서 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

1.9-GHz 대역 PHEMT SiGe HBT 전력증폭기 설계 및 제작

남정우 ,  채규성 ,  김창우

한국통신학회 학술대회논문집

2002 .11

Bottom 컬렉터와 단일 금속층 구조로 설계된 SiGe HBT의 전기적 특성

최아람 ,  최상식 ,  김준식 외 3명

전기전자재료학회논문지

2007 .01

SiGe HBT를 이용한 무선 LAN용 2.4GHz VCO회로설계 ( Design of 2.4GHz VCO for Wireless LAN Application Using A SiGe HBT )

조덕호 ,  한태현 ,  이수민 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Si/SiGe HBT 최대 전류이득의 온도 의존성

인병욱 ,  김범만 ,  염병렬 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

Si / SiGe HBT 최대 전류이득의 온도 의존성 ( Temperature Dependences of Maximum Current Gain in Si / SiGe HBTs )

인병욱 ,  김범만 ,  염병렬 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

24GHz 대역 0.2W HBT 하이브리드 전력증폭기 ( 24GHz-Band 0.2W HBT Hybrid Power Amplifier )

박주상 ,  김창우

대한전자공학회 학술대회

1998 .10

24GHz 대역 0.2W HBT 하이브리드 전력증폭기 ( 24GHz-Band 0.2W HBT Hybrid Power Amplifier )

박주상 ,  김창우

한국통신학회 학술대회논문집

1998 .01

고주파수용 SiGe HBT의 베이스 프로파일 시뮬레이션에 관한 연구

이우희 ,  이준하 ,  박병수 외 1명

한국산학기술학회 학술대회논문집

2004 .06

SiGe HBT를 이용한 무선 LAN용 2.4㎓ VCO 회로 설계

조덕호 ,  한태현 ,  이수민 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

IMT-2000 중계기용 광대역 SiGe HBT 전력 증폭기 설계 및 제작

임준형 ,  채규성 ,  김창우

한국통신학회 학술대회논문집

2002 .11

RPCVD를 이용한 실리콘 게르마늄 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제작 및 특성 분석

한태현 ,  서광열

전기전자재료학회논문지

2004 .01

Ku-대역 SiGe HBT 전력 증폭기 MMIC 에 관한 연구

안기범 ,  염인복

한국통신학회 학술대회논문집

2009 .06

SiGe HBT의 베이스 저항 변수추출 기술

이상흥 ,  이승윤 ,  강진영 외 1명

한국통신학회지(정보와통신)

2000 .12

SiGe HBT를 이용한 10Gbps 디멀티플렉서 설계 ( 10Gbps Demultiplexer using SiGe HBT )

이상흥 ,  강진영 ,  송민규

한국통신학회논문지

2000 .04

SiGe HBT 소자의 높은 차단 주파수 특성을 위한 Ge profile 연구

김성훈 ,  김경해 ,  이홍주 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .07

Structure-related Characteristics of SiGe HBT and 2.4 ㎓ Down-conversion Mixer

Sang-Heung Lee ,  Sang-Hoon Kim ,  Ja-Yol Lee 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2006 .06