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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.6
- 수록면
- 172 - 175 (4page)
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This paper analyzes the effects of Ge profiles shape of SiGe heterojunction bipolar transistors(HBT’s) for high frequency application. Device simulations using ATLAS/BLAZE for the SiGe HBT with trapezoidal or triangular Ge profile are carried out to optimize the device performance. An HBT with 15% triangular Ge profile shows higher cut-off frequency and DC current gain than that with 19% trapezoidal Ge profile. The cut-off frequency and DC gain are increased from 42GHz to 84GHz and from 200 to 600. respectively. The SiGe HBT has been fabricated using a production CVD reactor.
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