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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 661 - 665 (5page)
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This paper presents the electrical properties of SiGe HBTs designed with bottom collector and single metal layer structure for RF power amplifier. Base layer was formed with graded-SiGe/Si structures and the collector place to the bottom of the device. Bottom collector and single metal layer structures could significantly simplify the fabrication process. We studied about the influence of SiGe base thickness, number of emitter fingers and temperature dependence (< 200 ℃) on electrical properties. The feasible application in 1∼2 GHz frequency from measured data BVCEO ∼10 V, fT∼14 GHz, β 110, NF∼1 dB using packaged SiGe HBTs. We will discuss the temperature dependent current flow through the e-b, b-c junctions to understand stability and performance of the device.
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B. K. Mheen / 2003 / The enhancement of Q factor in RPCVD SiGe varactors by the structureal modification of the base collector junction / IEEE electron device letters 24 (4)
B. M. Haugerud / 2006 / Proton and gamma radiation effects in a new first generation SiGe HBT technology / Solid State Electronics 80 : 181 ~
B. Mheen / 2002 / RF performance tradeoffs of SiGe HBT fabricated by reduced pressure chemical vapor deposition / IEEE MTT-S Digest 1 : 413 ~
C. K. Maiti / 2001 / Handbook of Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices / Institute of Physics Publishing Bristol and Philadelphia
H. T. Han / 2004 / A study on the fabrication and characteristics of an SiGe HBT / 박사 / The Graduate School, Kwangwoon University
B. M. Haugerud / 2006 / Proton and gamma radiation effects in a new first generation SiGe HBT technology / Solid State Electronics 80 : 181 ~
B. Mheen / 2002 / RF performance tradeoffs of SiGe HBT fabricated by reduced pressure chemical vapor deposition / IEEE MTT-S Digest 1 : 413 ~
C. K. Maiti / 2001 / Handbook of Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices / Institute of Physics Publishing Bristol and Philadelphia
H. T. Han / 2004 / A study on the fabrication and characteristics of an SiGe HBT / 박사 / The Graduate School, Kwangwoon University
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