무선통신소자제작을 위한 45GHz fT 및 50GHz fmax SiGe BiCMOS 개발

황석희; 조대형; 박강욱; 이상돈; 김남주

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자료유형: 학술저널

저자정보: 황석희 조대형 박강욱 이상돈 김남주

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제9호

발행연도: 2005.9

수록면: 1 - 8 (8page)

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최근 Mobile용 RF ICs 적용을 위한 RF CMOS 기술과 함께 핵심 기술로 SiGe Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 소자 개발의 중요성이 증대되고 있다. 본 논문은 현재 5GHz 동작 수준의 RF제품에서 주로 사용되는 기술인 0.35μm 설계 Rule을 적용하여 f_(max) 50GHz에서 동작하는 SiGe BiCMOS 기술 개발에 대한 내용을 논의한다. 본 SiGe HBT에 사용하는 에피막 성장 기술은 Trapezoidal Ge base profile 및 non-selective 방식이고, 에미터 RTA 조건 및 SiGe HBT base에 대한 vertical profile 최적화를 수행하였다. hFE 100, fT45GHz, f_(max) 50GHz, NF_(min) 0.8dB수준으로 우수한 특성 및 기술 경쟁력을 갖는 SiGe BiCMOS 공정 개발 및 양산 기술을 확보하였다. 또한, 기존의 0.35um설계 Rule공정 target에 부합되는 CMOS소자를 포함시켰으며, RF용 Passive소자로 높은 Q값을 갖는 MIM capacitor(1pF, Q>80), Inductor(2nH, Q～12.5)를 제공하였다.

참고문헌 (12)

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[학술지(정기간행물)] - A. Das / / Review of SiGe Process Technology and its Impact on RFIC Design : 325 ~

[학술지(정기간행물)] - Gerald S. Worchel / 2002. / Silicon Germanium TechnologyWhen The Electron Hits The Airwaves

[학술지(정기간행물)] - T. Tatsumi / 1988 / Si/Ge0.3Si0.7/Si heterojunction bipolar transistor made with Si molecular beam epitaxy : 895 ~

[학술지(정기간행물)] - A. Joseph / / 0.13μm 210GHz fTSiGe HBTsExpanding the Horizons of SiGe BiCMOS Proceedings of ISSCC 2002 : 138 ~

[학술지(정기간행물)] - A. Gruhle / / Prospects for 200GHz on Silicon with SiGe Heterojunction Bipolar Transistors : 19 ~

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