O2/Ar 혼합 유량비를 변수로 갖는 라디오파 마그네트론 스퍼터링으로 성장된 ZnO 박막의 특성

조신호

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자료유형: 학술저널

저자정보: 조신호

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제11호

발행연도: 2007.1

수록면: 932 - 938 (7page)

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The structural, optical, and electrical properties of ZnO thin films grown on glass by radio-frequency (rf) magnetron sputtering were investigated. The mixture flow ratio of O2 to Ar, which was operated with sputtering gas, was chosen as a parameter for growing high-quality ZnO thin films. The structural properties and surface morphologies of the thin films were characterized by the X-ray diffraction and the atomic force microscope, respectively. As for the optical properties of the films, the optical absorbance was measured in the wavelength range of 300-1100 nm by using UV-VIS spectrophotometer. The optical transmittance, absorption coefficient, and optical bandgap energy of ZnO thin films were calculated from the measured data. The crystallinity of the films was improved and the bandgap energy was increased from 3.08 eV to 3.23 eV as the oxygen flow ratio was increased from 0 % to 50 %. Furthermore, The ultraviolet and violet luminescences were observed by using photoluminescence spectroscopy. The hall mobility was decreased with the increase of oxygen flow ratio.

#ZnO thin film #Rf magnetron sputtering #Absorbance #Bandgap

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A. A. Ibrahim / 2006 / ZnO/Si solar cell fabricated by spray pyrolysis technique / J. Mater. Sci: Mater. Electron. 17 : 835 ~

B. J. Jin / 2000 / Violet and UV luminescence emitted from ZnO thin films grown on sapphire by pulsed laser deposition / Thin Solids Films 366 : 107 ~

F. Yakuphanoglu / 2004 / The determination of the optical constants of Cu(II) compound having 1-chloro-2,3-0-cyclohexylidinepropane thin film / Opt. Comm. 239 : 275 ~

G. H. Lee / 2001 / Blue shift in room temperature photoluminescence from photo-chemical vapor deposited ZnO films / Thin Solids Films 386 : 117 ~

H. W. Kim / 2003 / Structural studies of room-temperature RF magnetron sputtered ZnO films under different RF powered conditions / Mater. Sci. Eng. B 103 : 297 ~

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