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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
17 - 23 (7page)

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The switching characteristics of MOS-Controlled Thyristor(MCT) is studied with variation of the channel length and impurity concentration in ON and OFF FET channel. The proposed MCT power device has the lateral structure and P-epitaxial layer in substrate. Two dimensional MEDICI simulator and PSPICE simulator are used to study the latch-up current and forward voltage-drop from the characteristics of I-V and the switching characteristics with variation of channel length and impurity concentration in P and N channel. The channel length and N impurity concentration of the proposed MCT power device show the strong affect on the transient characteristics of current and power. The N channel length affects only on the OFF characteristics of power and anode current, while the N doping concentration in P channel affects on the ON and OFF characteristics.
#MCT #Channel length #Impurity concentration #Latch-up current #Switching characteristics

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/ 1982. / Physics : 524 ~ google schola / 1984. / MOS-controlled Thy- ristor : 282 ~ google schola / 1986. / MOS-controlled Thy- ristor-A New Class of Power Devices : 1609 ~ 33 google schola / 1986. / Power integrated circuits - A brief overview ed-33 : 1936 ~ google schola / 1990. / A new lateral MOS-controlled thyristor (11) : 256 ~ google schola

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