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전력전자학회 전력전자학회 학술대회 논문집 전력전자학회 1997년 학술대회논문집
발행연도
1997.7
수록면
131 - 134 (4page)

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MCT는 MOS-게이트형 사이리스터로써 MOS-게이트형 턴-온 및 턴-오프 특성과 낮은 도통전압을 나타내는 소자이다. 그러나 SOA(Safe Operation Area)가 상대적으로 작기 때문에 스너버 회로를 필요로 한다. 본 논문에서는 간단한 MCT PSPICE 모델을 사용하여 스위칭 특성과 RCD 스너버의 특성을 분석하였고 스너버 회로 설계방식을 제안하였다.

목차

Abstract

1. 서론

2. MCT의 특성 고찰

3. MCT의 Pspice 모델

4. 스너버 회로의 설계

5. 시뮬레이션 결과

6. 실험 결과

7. 결론

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