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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 1,034 - 1,040 (7page)
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The latch-up current and switching characteristics of MOS-Controlled Thyristor(MCT) are studied with variation of the channel length and impurity concentration. The proposed MCT power device has the lateral structure and P-epitaxial layer in substrate. Two dimensional MEDICI simulator is used to study the latch-up current and forward voltage-drop from the characteristics of I-V and the switching characteristics with variation of impurity concentration. The channel length and impurity concentration of the proposed MCT power device show the strong affect on the anode current and turn-off time. The increase of impurity concentration in P and N channels is found to give the increase of latch-up current and forward voltage-drop.
목차
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/ 1984. / MOS-Controlled Thy- ristor : 282 ~
/ 1986. / Power Integrated Circuits-A Brief Overview : 1936 ~ 33
/ 1990. / A New Lateral MOS-controlled thyristor (11) : 256 ~
/ 1991. / Lateral MOS-gate power devices-a unified view ed-38 : 1600 ~
/ 1995. / Lateral MOS Controlled Thyristor with Shorted Anode Structure : 82 ~
/ 1986. / Power Integrated Circuits-A Brief Overview : 1936 ~ 33
/ 1990. / A New Lateral MOS-controlled thyristor (11) : 256 ~
/ 1991. / Lateral MOS-gate power devices-a unified view ed-38 : 1600 ~
/ 1995. / Lateral MOS Controlled Thyristor with Shorted Anode Structure : 82 ~
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