지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.6 No.1
- 발행연도
- 2006.3
- 수록면
- 43 - 51 (9page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
80-nm self-aligned n- and p-channel I-MOS devices were demonstrated by using a novel fabrication method featuring double sidewall spacer, elevated drain structure and RTA process. The fabricated devices showed a normal transistor operation with extremely small subthreshold swing less than 12.2 mV/dec at room temperature. The n- and p-channel I-MOS devices had an ON/OFF current of 394.1/0.3 μA and 355.4/8.9 μA per μm, respectively. We also investigated some critical issues in device design such as the junction depth of the source extension region and the substrate doping concentration.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE FABRICATION
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSIONS
Ⅳ. DESIGN CONSIDERATION OF THE I-MOS DEVICE
Ⅴ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
저자소개
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
MOS 구조의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1986 .07
-
P-channel MOS Amplifier의 설계 및 제작 ( Design and Fabrication of a P-channel MOS Amplifier )
대한전자공학회 학술대회
1980 .01
-
동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )
전자공학회지
1985 .07
-
자기 정렬된 Mo2N/Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N/Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )
전자공학회지
1984 .11
-
자기 정렬된 Mo2N / Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N / Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
-
Device property of MoS2 assembled by solution based fabrication
대한기계학회 춘추학술대회
2014 .05
-
D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
-
MOS Device의 Surface State Charge 밀도의 측정 ( The Measurements of Surface State Charge Density in MOS Device )
대한전자공학회 학술대회
1987 .05
-
MOS Processing
대한전자공학회 단기강좌
1982 .01
-
Study on Experimental Fabrication of a New MOS Transistor for High Speed Device
전기의세계
1978 .08
-
Study on the n+ etching process in TFT-LCD Fabrication for Mo/Al/Mo Data Line
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2004 .01
-
수치해석 방법에 의한 2차원적 MOS Transistors의 시뮬레이션에 관한 연구 ( Two-Dimensional Simulation of MOS Transistors Using Numerical Method )
전자공학회지
1985 .09
-
2.25Cr-1Mo강에서 Mo 함량에 따른 고온환경에서의 용접부 미세조직 및 물성변화
대한용접학회 특별강연 및 학술발표대회 개요집
2010 .05
-
Effects of Substrate Resistance on Microwave Characteristics of MOS Transistors
Journal of Electrical Engineering and information Science
1999 .04
-
Mo을 치환한 BiNbO4 세라믹 후막 모노폴 안테나의 전기적 특성
전기전자재료학회논문지
2003 .01
-
SOI MOS 소자의 제조 ( The Fabrication of SOI MOS device )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
-
MoS₂ 두께 변화에 따른 MoS₂/p-Si 광센서 특성 연구
Current Photovoltaic Research
2017 .12
-
수치 해석에 의한 MOS Device 의 외부 Bias와 표면준위에 관한 일 고찰 ( A Study on External Bias and Surface Potential of MOS Device by Numerical Analysis )
대한전자공학회 학술대회
1987 .07
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-015483342