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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 89 - 93 (5page)
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Piezoelectric fields built in InxGa1-xN/GaN (x=0.06～0.1) quantum wells (QWs) have been estimated by comparing the transition energies, both calculated and measured by photoluminescence (PL). The calculation was numerically carried out with a rectangular QW model, where the effective bandgap considering a bowing factor, energy levels quantized for the lowest lying electrons and heavy holes (1e-1hh), and biaxial compressive strain were included except for the piezoelectric fields. The calculated values were observed to be larger (9～15 meV) than the measured values by PL, which was considered to be caused by the piezoelectric fields built in InGaN/GaN QW interface. In addition, we observed the energy shift by measuring the EPDPL (excitation power-dependent PL), which was compared with the energy difference caused by the piezoelectric fields.
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/ 1995. / First-principles calculations of effective-mass parameters of AlN and GaN. 52 : 8232 ~
/ 1996. / Progress and prospects of group-III nitride semiconductors 20 (5/6) : 445 ~
/ 1997. / For a rescent review see 36 : 5393 ~
/ 1997. / HVPE 법에 의한 기판재료용 후막 GaN 에피택셜 성장에 관한 연구 10 (4) : 362 ~
/ 1997. / Optical properties of strained AlGaN and GaInN 36 : L177 ~
/ 1996. / Progress and prospects of group-III nitride semiconductors 20 (5/6) : 445 ~
/ 1997. / For a rescent review see 36 : 5393 ~
/ 1997. / HVPE 법에 의한 기판재료용 후막 GaN 에피택셜 성장에 관한 연구 10 (4) : 362 ~
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