Growth of High Quality InxGa1-xN By MOCVD

이석헌 ,  배성범 ,  함성호 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

청색발광소자를 위한 InxGa1-Xn 결정성장및 특성평가 ( Growth and Characterization of InxGa1-Xn Epitaxial Layer for Blue Light Emitter )

이석헌 ,  이재승 ,  허증수 외 5명

전자공학회논문지-D

1998 .08

MOCVD로 성장된 InxGa1-xN MQW 구조의 청색 발광다이오드의 특성 ( Characteristics of a Blue Light Emitting Diode with InxGa1-xN MQW Structure Grown by MOCVD )

이석헌 ,  배성범 ,  태흥식 외 4명

전자공학회논문지-D

1998 .08

LPMOCVD법으로 증착된 $TiO_2$ 박막의 결정화 특성

이하용 ,  고경현 ,  안재환 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

인듐량에 따른 InxGaN1-x 박막의 에너지밴드갭 변화

박기철 ,  마대영

전기전자재료학회논문지

2009 .01

InxGa1-xN/GaN 양자우물 구조의 수치 해석을 이용한 압전장 평가

김태근 ,  김경찬

전기전자재료학회논문지

2004 .01

가염 폴리프로필렌 섬유 $(XN^{light})$

권혁상 ,  최태수 ,  남승민

섬유기술과 산업

2007 .01

Growth and Characterization of GaN epilayer Grown with of the Growth Temperature of GaN Nuclei Layer

이철로 ,  손성진 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Pseudomorphic InxGa1-xAs ( x > 0.53 ) / In0.53 Al0.48 As Modulation-Doped Heterostructures의 Low-Field Transport와 계면에 관한 연구 ( Low-Field Transport and InterFace Properties of Pseudomorphic InxGa1-xAs / In0.53Al0.48 As Modulation-Doped Heterostructures )

오재응 ,  신충선 ,  마원석 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

AlGaN/GaN 이종접합 디바이스를 위한 GaN 에피층의 전기적 특성

문도성

전기전자재료학회논문지

2002 .01

Triclinic Lattice Deformation of InxGa1-xAs / GaAs Heterostructures Grown on ( 001 ) GaAs

이동건 ,  염효영 ,  임재영 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor

Gao ,  Cun-Xu ,  Yu 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

반복과정 Xn+1=F(Xn)에 관한 연구

김하진

(구)정보과학회논문지

1981 .06

EPITAXIALLY STABILIZED QUANTUM WELL AND QUANTUM DOT STRUCTURES BASED ON Sn/Si AND $Si_{1-x}Sn_{x}/Si$ HETEROSTRUCTURES

Min ,  Kyu-Sung ,  Atwate 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Investigation of Oxygen Incorporation in AlGaN/GaN Heterostructures

Ho Won Jang ,  Jeong Min Baik ,  Jong-Lam Lee 외 2명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2003 .06

Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD

이재승 ,  배성범 ,  함성호 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Characterization of GaN / AIN and GaN / GaN Two-Step Growth by MBE

H. D. Cho ,  G. S. Eom ,  C. B. Kim 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한 GaN 후막성장과 특성 연구

양승현 ,  남기석 ,  임기영 외 1명

한국재료학회지

2000 .01

Photoreflectance Measurement in Si₃N₄/Al_0.21Ga_0.79As/GaAs Heterostructure

Jae-In Yu ,  Hun-Bo Pa ,  k 외 3명

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2005 .04

GaAs/$Al_{x}Ga_{1-x}As$/GaAs 이종구조 위에 구성된 Schottky 다이오드의 전기적 특성에 관한 연구

최영환 ,  이원섭 ,  최광수

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01