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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 677 - 681 (5page)
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InxGa1-xN alloys with 20-nm-thickness were deposited onto Mg:GaN/AlN/SiC substrates by MOCVD at 800 ℃. TMGa, TMIn and NH3 were used as the precursor of gallium, indium and nitrogen, respectively. The mole ratio of indium in InxGa1-xN films varied between 0 and 0.2. The energy-band-gaps of the films were obtained from the photoluminescence and cathodoluminescence peaks. The mole ratios of InxGa1-xN films were calculated by applying Vegard's law to XRD results. The energy-band-gap versus indium composition plot for InxGa1-xN alloys were well fit with a bowing parameter of 2.27.
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A. F. Wright / 1995 / Bowing parameters for zinc-blende Al1?xGaxN and Ga1?xInxN / Appl. Phys. Lett. 66 : 3051 ~
C. A. Parker / 1999 / Optical band gap dependence on composition and thickness of InxGa1?xN(0<x<0.25)grown on GaN / Appl. Phys. Lett. 75 : 2566 ~
C. Miao / 2008 / InGaN/GaN multi-quantum-well planar metal-semiconductor-metal light-emitting diodes / Electron. Lett. 44 : 441 ~
C. Wetzel / 1998 / Optical band gap in Ga1?xInxN(0<x<0.2)on GaN by photoreflection spectroscopy / Appl. Phys. Lett. 73 : 1994 ~
F. B. Naranjo / 2002 / Strong localization in InGaN layers with high In content grown by molecular-beam epitaxy / Appl. Phys. Lett. 80 : 231 ~
C. A. Parker / 1999 / Optical band gap dependence on composition and thickness of InxGa1?xN(0<x<0.25)grown on GaN / Appl. Phys. Lett. 75 : 2566 ~
C. Miao / 2008 / InGaN/GaN multi-quantum-well planar metal-semiconductor-metal light-emitting diodes / Electron. Lett. 44 : 441 ~
C. Wetzel / 1998 / Optical band gap in Ga1?xInxN(0<x<0.2)on GaN by photoreflection spectroscopy / Appl. Phys. Lett. 73 : 1994 ~
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