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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.12
- 수록면
- 620 - 624 (5page)
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본 연구에서는, Ni/CNT/SiO₂ 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터를 제작하고 전기적 특성을 조사하였다. 이를 통하여 4H-SiC MIS 소자에서 탄소나노튜브의 역할을 분석하고자 하였다. 탄소나노튜브는 이소프로필알코올과 혼합하여 SiO₂표면에 분산하였다. 소자의 전기적 특성 분석을 위하여 300-500K의 온도 범위에서 소자의 정전용량-전압 특성을 측정하였다. 밴드 평탄화 전압은 양의 방향으로 shift되었다. 정전용량-전압 그래프로부터 계면 포획 전하 밀도 및 산화막 포획 전하 밀도가 유도되었다. 산화막의 상태는 4H-SiC MIS 구조의 계면에서 전하 반송자 또는 결함 상태와 관련된다. 온도가 증가함에 따라 밴드 평탄화 전압은 음의 방향으로 shift되는 결과를 얻었다. 실험 결과로부터, Ni과 SiO₂ 계면에 탄소나노튜브를 첨가함에 따라 4H-SiC MIS 캐패시터의 게이트 특성을 조절 가능할 것으로 판단된다.
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1. [학술지(정기간행물)] - Wataru Norimatsu / 2010 / / Physical review B 81 : 161410 ~
2. [학술지(정기간행물)] - G. Y. Chung / 2011 / / IEEE Electron Device Letters 22 (4) : 176 ~
3. [학술지(정기간행물)] - P. J. F. Harris / 2004 / / International Materials Reviews 49 (1) : 31 ~ 43
4. [학술지(정기간행물)] - T. Suni / 2002 / / Journal of The Electrochemical Society 149 (6) : G349 ~
5. [학술지(정기간행물)] - 문정현 / 2014 / Improved 4H-SiC Metal Oxide Semiconductor Interface Produced by Using an Oxidized SiN Gate Oxide That Had Undergone Post-oxidation Annealing / Journal of the Korean Physical Society 64 (9) : 1363 ~ 1369
2. [학술지(정기간행물)] - G. Y. Chung / 2011 / / IEEE Electron Device Letters 22 (4) : 176 ~
3. [학술지(정기간행물)] - P. J. F. Harris / 2004 / / International Materials Reviews 49 (1) : 31 ~ 43
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