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자료유형
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한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제11권 제2호
발행연도
2002.1
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ZnGa2O4 형광체 박막을 기판 온도를 550℃에 고정시키고 산소 분압을 100, 200, 300 mTorr로 변화시키며 Al2O3(0001) 기판 위에 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착하였다. 다른 산소 분압에서 성장한 박막들의 미세 결정구조와 형광특성을 조사하였으며, 산소분압이 증가할수록 박막의 결정성이 변화하였으며 박막의 조성비가 다름을 형광특성을 통하여 알 수 있었다. 발광 스펙트럼은 460 nm에서 최고 피크값을 나타내었으며, 300 nm에서 600 nm까지 갖는 넓은 밴드의 형광 특성을 나타내었다. 최적의 조건에서 성장된 박막의 형광 밝기를 고려해볼 때 Al2O3(0001) 기판이 우수한 ZnGa2O4 형광체 박막을 성장시킬 수 있는 기판들 중 하나임을 확인하였다.

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