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한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제11권 제1호
발행연도
2002.1
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ZnGa2O4 박막 형광체는 기판 온도 550℃, 산소 분압 100mTorr에서 Si(100) 기판 위에 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착시켰고, 이렇게 증착되어진 박막을 600℃와 700℃에서 후 열처리하여 발광 특성을 조사하였다. X-선 회절 실험 결과, 후열처리 온도를 증가시킴에 따라서 Ga2O3 상이 나타남을 확인할 수 있었다. 발광 스펙트럼은 460nm에서 최고 피크값을 나타내었으며, 350에서 600nm까지 갖는 넓은 밴드의 발광 특성을 나타내었다. 후열처리에 따른 ZnGa2O4 박막은 다른 형태의 발광 강도와 grain 크기를 나타내었다.

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