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A ZnGa2O4 phosphor target was synthesized through solid-state reactions at a calcine temperature of 700 ℃ and sintering temperature of 1300 ℃ in order to deposit ZnGa2O4 phosphor thin film at various temperature using rf magnetron sputtering system. A ZnGa2O4 phosphor thin film was deposited on Si(100) substrate and annealed by a rapid thermal processor(RTP) at 700 ℃, for 15 sec. The x-ray diffraction patterns of ZnGa2O4 phosphor target and thin film showed the main peak (311) direction. ZnGa2O4 thin film has better crystalization due to as function of increasing substrate and annealing temperature. The cathodoluminescence(CL) spectrums of ZnGa2O4 phosphor thin film showed the main peak 420 ㎚ wavelength and the maximum intensity at the substrate temperature of 500 ℃ and annealing temperature of 700 ℃, for 15 sec.

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