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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제12호
발행연도
2004.1
수록면
1,347 - 1,351 (5page)

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The ZnGa2O4 phosphor target was synthesized through solid-state reactions as calcine and sintering temperature in order to deposit ZnGa2O4 phosphor thin film by rf magnetron sputtering system. The x-ray diffraction patterns of ZnGa2O4 phosphor target showed the position of (311) main peak. The cathodoluminescence(CL) spectrums of ZnGa2O4 phosphor target showed main peak of 370 ㎚ to 400 nm, and maximum intensity at the calcine temperature of 700 ℃ and sintering temperature of 1300 ℃. It was possible to prepare The ZnGa2O4 phosphor thin film with synthesized ZnGa2O4 phosphor target and The prepared ZnGa2O4 phosphor thin film showed the position of (311) main peak.

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