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Mofan Tian (Xi’an Jiaotong University) Yuan Hao (Xi’an Jiaotong University) Kangping Wang (Xi’an Jiaotong University) Yang Xuan (Xi’an Jiaotong University) Lang Huang (Xi’an Jiaotong University) Jingjing Sun (Xi’an Jiaotong University) Xu Yang (Xi’an Jiaotong University)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2015-ECCE Asia
발행연도
2015.6
수록면
1,961 - 1,966 (6page)

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This paper focuses on the electromagnetic interference (EMI) research and analysis of the MHz switching frequency GaN MOSFET based on the LLC resonant DC-DC converter. In this paper, first, the CM coupling paths are studied to get simplified models. Then the impact of the parasitic capacitors (both the capacitors to the ground and the capacitors in the devices) on the CM current are analyzed. Finally the high frequency model is derived from the work above. Moreover this paper makes the comparison between normal Si MOSFET and GaNbased MOSFET behavior in EMI. The modeling result proves that GaN MOSFET has a worse behavior on EMI test. An experiment layout which is aimed at minimizing the irrelevant factors is designed and the experiment result proves the accuracy of the modeling.
#DC-DC converter #GaN Mosfet #EMI #layout

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DESIGN OF A GAN-BASED HALF-BRIDGE MODULE
III. PROPOSED HIGH FREQUENCY MODEL
IV. EXPERIMENTAL RESULTS
V. CONCLUSION
References

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