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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제13권 제2호
발행연도
2004.1
수록면
101 - 109 (9page)

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This paper presents a novel z-axis accelerometer with perfectly aligned vertical combs fabricated using the extended sacrificial bulk micromachining (extended SBM) process. The z-axis accelerometer is fabricated using only one (111) SOI wafer and two photo masks without wafer bonding or CMP processes as used by other research efforts that involve vertical combs. In our process, there is no misalignment in lateral gap between the upper and lower comb electrodes, because all critical dimensions including lateral gaps are defined using only one mask. The fabricated accelerometer has the structure thickness of 30 mm, the vertical offset of 12 mm, and lateral gap between electrodes of 4 mm. Torsional springs and asymmetric proof mass produce a vertical displacement when an external z-axis acceleration is applied, and capacitance change due to the vertical displacement of the comb is detected by charge-to-voltage converter. The signalto- noise ratio of the modulated and demodulated output signal is 80 dB and 76.5 dB, respectively. The noise equivalent input acceleration resolution of the modulated and demodulated output signal is calculated to be 500 mg and 748 mg. The scale factor and linearity of the accelerometer are measured to be 1.1 mV/g and 1.18% FSO, respectively.
#Extended SBM #Z-axis accelerometer #vertical comb

목차

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참고문헌 (14)

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A. Hanneborg / 1991. / Silicon Wafer Bonding Techniques for Assembly of Micromechanical Elements : 92 ~ 98 google schola A. Selvakumar / 1996. / A High Sensitivity z-axis Torsional Silicon Accelerometer google schola D. Cho / 2000. / Surface/Bulk Micromachined High Performance Silicon Micro-gyroscope google schola D. Kwak / 2003. / Why is (111) Silicon a better Mechanical Material for MEMS: Torsion Case : 15 ~ 21 google schola J. Kim / 2003. / Robust SOI Process without Footing for Ultra High-performance Microgyroscopes : 1691 ~ 1694 google schola

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