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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제32권 제5호
발행연도
2019.1
수록면
387 - 392 (6page)

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라디오파 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 여러 증착 온도를 변화시키면서 Dy3+와 Eu3+가 동시 도핑된 La2MoO6 형광체 박막을 사파이어 기판 위에 증착하였다. 형광체 박막은 X-선 회절법 (XRD), 주사전자현미경, 자외선-가시광선 형광광도계, 분광광도계를 사용하여 분석하였다. La2MoO6 형광체 박막의 광학 투과율, 흡광율, 밴드갭, 발광 세기는 증착 온도에 의존성을 보였다. XRD 측정은 증착 온도에 관계없이 모든 형광체 박막의 결정 구조는 정방정계임을 보였다. 증착 온도 100°C에서 성장된 형광체 박막은 파장 영역 400–1100 nm에서 평균 투과율은 85.3%이었고, 밴드갭 에너지는 4.31 eV 이었다. 증착 온도가 증가함에 따라 밴드갭 에너지는 순차적으로 감소하였다. 파장 268 nm로 여기시켰을 때 박막의 발광 스펙트럼은 Eu3+ 이온의 5D0→7F2 전이와 5D0→7F4 전이에 의한 각각 616 nm의 강한 적색 발광과 699 nm의 약한 발광, Dy3+이온의 4F9/2→6H13/2 전이에 의한 573 nm의 황색 발광이 나타났다. 실험 결과로부터, La2MoO6 형광체 박막은 무기 박막 전계소자의 발광층으로 사용할 수 있음을 제시한다.

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