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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 72 - 79 (8page)
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본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-E 스위칭 모드를 적용한 S-대역 레이더용 고효율 스위칭 도허티 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 도허티 전력증폭기는 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기가 고효율 특성을 갖는 Class-E 스위칭 모드로 구성되었다. 측정을 위한 입력 RF 신호는 100 ㎲의 펄스폭과 1 kHz의 PRF (Pulse Repetition Frequency)인 duty 10%인 펄스 신호를 사용하였다. 2.85 GHz의 주파수 대역에서 스위칭 도허티 전력증폭기 측정결과 포화전력에서 6 dB 떨어진 지점의 전력부가 효율 (power-added efficiency, PAE) 및 드레인 효율 (drain efficiency)은 각각 64%와 80.6%로 측정되었다.
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A. Grebennikov / 2007 / Switch mode RF Power Amplifiers / Newnes
F. H. Rabb / 2002 / Power amplifier and transmitters for RF and microwave / IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 50 (3) : 814 ~ 826
J. Kim / 2007 / Advanced design of linear doherty amplifier for high efficiency using saturation amplifier / in Proc. IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig. : 1573 ~ 1576
J. Kim / 2008 / Analysis of a fully matched saturated doherty amplifier with excellent Efficiency / IEEE Trans. Microwave Theory Tech 56 (2) : 328 ~ 338
J. Y. Lee / 2006 / A high power asymmetric doherty amplifier with improved linear dynamic range / in IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. : 1348 ~ 1351
F. H. Rabb / 2002 / Power amplifier and transmitters for RF and microwave / IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 50 (3) : 814 ~ 826
J. Kim / 2007 / Advanced design of linear doherty amplifier for high efficiency using saturation amplifier / in Proc. IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig. : 1573 ~ 1576
J. Kim / 2008 / Analysis of a fully matched saturated doherty amplifier with excellent Efficiency / IEEE Trans. Microwave Theory Tech 56 (2) : 328 ~ 338
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