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논문 기본 정보

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저자정보
이우석 (성균관대학교) 이휘섭 (성균관대학교) 박승국 (성균관대학교) 임원섭 (성균관대학교) 한재경 (피플웍스) 박광근 (피플웍스) 양영구 (성균관대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第27卷 第1號
발행연도
2016.1
수록면
20 - 26 (7page)

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본 논문에서는 GaN-HEMT를 이용하여 X-대역에서 동작하는 이단으로 구성된 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 높은 전력 이득을 얻기 위해 간단한 구조의 중간 단 정합 네트워크를 통해 이단으로 구성하였다. 3D EM 시뮬레이션을 통하여 본드와이어 인덕턴스와 기생 캐패시턴스를 예측하였다. 본드와이어 인덕턴스를 줄임으로써 정합 네트워크의 Q(quality-factor)를 최소화하여 대역 특성을 향상시켰다. 제작된 전력증폭기는 40 V의 동작 전압을 인가하였으며, 8.1~8.5GHz에서 16 dB 이상의 전력 이득, 42.5 dBm 이상의 출력 전력, 35 % 이상의 효율 특성을 나타냈다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이단 전력증폭기의 설계
Ⅲ. 제작 및 측정
Ⅳ. 결론
References

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