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저자정보
강현석 (충남대학교) 배경태 (충남대학교) 이익준 (충남대학교) 차현원 (GP) 민병규 (한국전자통신연구원) 강동민 (한국전자통신연구원) 김동욱 (충남대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第27卷 第10號(通卷 第233號)
발행연도
2016.10
수록면
892 - 899 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2018

S-대역 300 W급 GaN HEMT 고조파 튜닝 내부 정합 전력증폭기
강현석 ,  이익준 ,  배경태 외 2명 한국전자파학회논문지 2018.04 학술저널
GaN HEMT를 이용한 S-대역 및 X-대역 내부정합 전력증폭기 설계
강현석 전자전파정보통신공학과 2018.01 학위논문

2016

X-대역 50 W급 펄스 모드 GaN HEMT 내부 정합 전력 증폭기
강현석 ,  배경태 ,  이익준 외 4명 한국전자파학회논문지 2016.10 학술저널

초록· 키워드

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본 논문에서는 0.25 μm GaN HEMT 공정을 사용하여 ETRI에서 개발된 80×150 μm의 트랜지스터를 사용하여 X-대역에서 동작하는 50 W급 내부 정합 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 임피던스 변환용 사전 정합 회로를 사용한 로드풀 측정으로 최적의 소스 및 부하 임피던스를 실험적으로 추출하였고, 성능을 예측하였다. 유전율 10.2의 기판을 사용하여 제작된 내부 정합 전력 증폭기의 전력 성능은 펄스 주기 100 μs, 듀티 10 %의 펄스 모드 조건에서 측정되었으며, 최대 성능으로는 9.2 GHz에서 47.46 dBm(55.5 W)의 출력 전력과 46.6 %의 전력부가효율이 측정되었다. 9.0～9.5 GHz의 주파수에서 출력 전력은 47～47.46 dBm(50～55.7 W)의 값이 측정되었고, 전력부가효율은 9.0～9.3 GHz에서 43 % 이상, 9.4～9.5 GHz에서는 36 % 이상의 효율이 측정되었다.
#GaN HEMT #Power Amplifier #Internally Matched #X-Band

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. GaN HEMT 소자 제작 공정 및 특성
Ⅲ. 로드풀 측정 및 최적 임피던스 추출
Ⅳ. 내부 정합 전력 증폭기 제작 및 측정
Ⅴ. 결론
References

참고문헌 (12)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - D. W. Runton / 2013 / History of GaN: High-power RF gallium nitride(GaN)from infancy to manufacturable process and beyond / IEEE Microwave Magazine 14 (3) : 82 ~ 93 google schola [인터넷자원] - / / Cree Inc google schola [인터넷자원] - / / Qorvo Inc google schola [학술지(정기간행물)] - 이우석 / 2016 / GaN-HEMT를 이용한 X-대역 이단 전력증폭기 설계 / 한국전자파학회 논문지 27 (1) : 20 ~ 26 dbpia [인터넷자원] - / / United Monolithic Semiconductors google schola

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