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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.6
- 수록면
- 646 - 652 (7page)
이용수
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본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) die를 이용하여 Ku-대역 전력 증폭기 설계, 제작 그리고 실험 결과에 대해 기술하였다. 저비용으로 Ku-대역 전력 증폭기를 설계하기 위하여 고가의 알루미나 회로기판 제작 대신 PCB(Printed Circuit Board)를 이용하여 입/출력단 정합 회로를 이용하였다. 측정 결과로는 펄스 모드로 동작시켰을 때 14.8 GHz에서 42.6 dBm의 출력 전력, 37.7 % 드레인 효율 그리고 7.9 dB의 선형 이득을 얻었다. CW(Continuous Wave) 실험 결과로는 39.8 dBm의 출력 전력, 24.1 %의 드레인 효율 그리고 7.2 dB의 선형 이득을 얻을 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 설계 및 제작
Ⅲ. 측정 결과
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (5)
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1. [학술지(정기간행물)] - Aethercomm / 2008 / Gallium Nitride(GaN) Microwave transistor technology for radar applications / Microwave Journal 51 (1) : 106 ~
2. [학술대회논문] - K. Yamauchi / 2011 / A 45% power added efficiency, Ku-band 60 W GaN power amplifier / IEEE MTTS International Microwave Symposium Digest : 1 ~ 4
3. [학술지(정기간행물)] - Ge Qin / 2012 / A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30 % of PAE / Journal of Semiconductors 33 (1)
4. [학술대회논문] - H. Noto / 2012 / X- and Ku-band internally matched GaN amplifiers with more than 100 W output power / Microwave Integrated Circuits Conference(Eu-MIC) : 695 ~ 698
5. [학술대회논문] - K. Takagi / 2007 / Ku-band AlGaN/GaN HEMT with over 30W / Microwave Integrated Circuit Conference, 2007. EuMIC 2007. European : 169 ~ 172
2. [학술대회논문] - K. Yamauchi / 2011 / A 45% power added efficiency, Ku-band 60 W GaN power amplifier / IEEE MTTS International Microwave Symposium Digest : 1 ~ 4
3. [학술지(정기간행물)] - Ge Qin / 2012 / A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30 % of PAE / Journal of Semiconductors 33 (1)
4. [학술대회논문] - H. Noto / 2012 / X- and Ku-band internally matched GaN amplifiers with more than 100 W output power / Microwave Integrated Circuits Conference(Eu-MIC) : 695 ~ 698
5. [학술대회논문] - K. Takagi / 2007 / Ku-band AlGaN/GaN HEMT with over 30W / Microwave Integrated Circuit Conference, 2007. EuMIC 2007. European : 169 ~ 172
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