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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제13권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
17 - 22 (6page)

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2단계 스퍼터링으로 강유전 PZT 박막을 형성시켜 유전특성과 전도기구를 조사하였다. 또한 PZT 박막 내의 carrier를 보상해주기위해 도너 불순물을 도핑하였다. 2단계 스퍼터링으로 상온층 두께를 조절하여 누설전류를 10-7A/㎠ order까지 줄일 수 있었다. 전도기구가 bulk-limited의 하나임을 확인하였고 따라서 적정한 도너 불순물을 채택하였다. 도너 불순물을 도핑한 경우 2단계 스퍼터링한 PZT 박막의 누설전류 특성은 10-8A/㎠ order까지 개선되었다.
#Ferroelctric PZT #2-step sputtering #donor impurity doping #leakage current #room temp.-layer

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참고문헌 (13)

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/ 1991 / Ferroelectric Materials and Their Applications : 101 ~ 135 google schola / 1994 / A model for electrical conduction in metal-ferroelectric-metal thin film capacitors 75 2 : 1014 ~ google schola / 1995 / Improvement of leakage current of PZT thin film by amorphous layer : 1037 ~ google schola / 1995 / 초고집적회로의 커패시터용 PZT박막의 입열조건에따른 유전특성-1-비정질 PZT를 사용한 PZT 박막의 누설전류 개선에 관한 연구 32-a (12) : 101 ~ google schola / 1996 / Dopant compensation mechanism and leakage current in Pb(Zr0, Ti)O thin films : 112 ~ 115 google schola

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