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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제11권 제3호
발행연도
2004.1
수록면
91 - 97 (7page)

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PZT 박막을 rf-마그네트론 스퍼터링으로 Pt/Ti/SiO2/Si 기판 위에 형성시켰다. 5% 과잉 PbO를 포함한 bulk PZT 타겟을 사용하였다. 상온에서 PZT 박막을 얇게 입힌 후 나머지 두께를 650oC에서 in-situ 방법으로 형성시켰다. 강유전 특성을 갖는 PZT 상은 650oC에서 형성되었다. 2단계 스퍼터링에 의해 누설전류 특성을 크게 증진시킬 수 있었고, 적절한 두께의 상온층을 포함시킨 경우 2´107A/cm2의 매우 작은 누설전류를 나타냈다. 누설전류 기구에 대한 조사 결과, 여러 조건에서 제조된 PZT 박막의 전기 전도는 모두 bulk-limit 기구에 의한 것임을 알 수 있었다.
#PZT #ferroelectric #leakage current #2-step sputtering #conduction mechanism

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참고문헌 (14)

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/ 1993 / PZT 박막 capacitor에 관한 기초 연구 google schola / 1995 / Improvement of leakage current of PZT thin film by amorphous layer google schola / 1995 / On the relationship between the interface reaction and annealing method of Lead Zirconate Titanate thin film on Pt/Ti/Si substrate 14 (6) : 1168 ~ google schola / 1995 / PZT 박막의 계면반응 및 누설전류 개선에 관한 연구 google schola / 1995 / 초고집적회로의 커패시터용 PZT박막의 입열조건에 따른 유전특성 32-A (12) : 101 ~ google schola

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