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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제17권 제3호
발행연도
2007.1
수록면
91 - 94 (4page)

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Vapor liquid solid 기구에 의한 열화학기상증착법을 이용하여 Si (001) 기판 위에 SnO2 나노와이어를 성장시켰 다. Au 박막 (3 nm)을 성장을 위한 촉매로 사용하여 Si(001) 기판 위에 순수 SnO powder (purity, 99.9 %)를 반응 원료로 대 기압 하 950~1000 o C 온도 범위, 750~800 sccm 아르곤 분위기에서 SnO2 나노와이어를 성장시켰다. X-ray diffraction 분석을 통해 성장한 SnO2 나노와이어가 tetragonal rutile 구조임을 확인하였고, transmission electron microscopy 분석을 통해 단일 나노와이어의 결정 특성을 분석하였다. 또한, 상온 photoluminescence 분석을 통해 나노와이어 샘플로부터 600 nm 부근에 서 나타나는 defect level 천이에 의한 넓은 emission band를 확인함으로써 성장한 나노와이어가 SnO2임을 확인하였다.

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