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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제21권 제4호
발행연도
2011.1
수록면
164 - 168 (5page)

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고이온밀도 플라즈마 식각에 의한 고종횡비, 고이방성을 갖는 ZnO, SnO2 나노 구조 가스 감응층 형성을 위하여mask 재료들과의 식각 선택도를 조사하였다. 25BCl3/10Ar ICP 플라즈마에서는 ZnO와 Ni 간 5.1~6.1 범위의 식각 선택도가확보된 반면에 Al의 경우 효율적인 식각 선택도를 확보할 수 없었다. 25CF4/10Ar ICP 플라즈마에서는 ZnO와 Ni 간에 7~17 범위의 높은 식각 선택도를 얻을 수 있었다. SnO2는 SnFx 식각 생성물의 높은 휘발성에 기인하여 Ni에 비해 매우 높은식각 속도를 나타내었고, 최고치 약 67의 매우 높은 식각 선택도를 확보하였다.
#Etch selectivity #SnO2 #ZnO #Mask material #ICP etching #Nano gas sensors

목차

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A. Tsujiko / 2000 / Selective formation of nanoholes with (100)- face walls by photoetching of n-TiO2(rutile) electrode, accompanied by increases in water-oxidation photocurr google schola H.C. Kim / 2006 / Parallel patterning of nanoparticles via electrodynamic focusing of charged aerosols / Nature Nanotechnology 1 : 117 ~ google schola M.H. Huang / 2001 / Catalytic growth of zinc oxide nanowires by vapor transpport / Adv. Mater 13 : 113 ~ google schola N. Yamazoe / 1992 / Chemical Sensor Technology Vol. 4 / Kodansa-Elseveir, Tokyo : 19 ~ 42 google schola P. Parthangal / 2006 / A universal approach to electrically connecting nanowire arrays using nanoparticles-application to a novel gas sensor architecture / Nanotechnology 17 google schola

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