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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 553 - 557 (5page)
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A compact model was proposed for circuit simulation of a Phase Change Memory (PCM) with an Ovonic Threshold Switch (OTS) selector. The OTS model is controlled by shallow and deep traps. [1] The PCM model is controlled by temperature, melting, crystallization, and resistance modules. [2] In this paper, a circuit simulation was performed in a cell with a crossbar array structure using this model.
목차
Abstract
I. 서론
II. 컴팩트 모델 소개
Ⅲ. 결합 모델 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
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