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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.13 No.1
- 발행연도
- 2018.1
- 수록면
- 387 - 392 (6page)
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Static characteristics of SiC (silicon carbide) lateral p-i-n diodes implemented on semiinsulating substrate without an epitaxial layer are investigated. On-axis SiC HPSI (high purity semiinsulating) and VDSI (vanadium doped semi-insulating) substrates are used to fabricate the lateral p-i-n diode. The space between anode and cathode (LAC) is varied from 5 to 20 ㎛ to investigate the effect of intrinsic-region length on static characteristics. Maximum breakdown voltages of HPSI and VDSI are 1117 and 841 V at L<SUB>AC</SUB> = 20 ㎛, respectively. Due to the doped vanadium ions in VDSI substrate, diffusion length of carriers in the VDSI substrate is less than that of the HPSI substrate. A forward voltage drop of the diode implemented on VDSI substrate is 12 V at the forward current of 1 ㎂, which is higher than 2.5 V of the diode implemented on HPSI substrate
목차
Abstract
1. Introduction
2. Device Structure and Fabrication
3. Results and discussion
4. Conclusions
References
참고문헌 (16)
참고문헌 신청
M. Bhatnagar and B. J. Baliga, “Comparison of 6HSiC, 3C-SiC, and Si for power devices,” IEEE Trans. ED, vol. 40, no. 3, pp. 645-655, 1993.
R. J. Trew, H. B. Yan, and P. M. Mock, “The potential of diamond and SiC electronic devices for microwave and millimeter-wave power applications,” Proc. IEEE, vol. 79, pp. 598-620, 1991.
W. S. Lee, K. W. Chu, C. F. Huang, L. S. Lee, M, J. Tsai, K. Y. Lee and F. Zhao, “Design and Fabrication of 4H-SiC Lateral High-Voltage Devices on a Semi-Insulating Substrate,” IEEE Trans. ED, vol. 59, no. 3, pp. 754-760, 2012.
M. Noborio, J. Suda, and T. Kimoto, “4H-SiC lateral double RESURF MOSFETs with low on resistance,” IEEE Trans. ED, vol. 54, no. 5, pp. 1216-1223, 2007.
Y. Zhang, K. Sheng, M. Su, J. Zhao, P. Alexandrov, and L. Fursin, “1000 V 9.1 mΩcm2 normally off 4H-SiC lateral RESURF JFET for power integrated circuit applications,” IEEE EDL, vol. 28, no. 5, pp. 404-407, 2008.
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