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저자정보
김민지 (부산대학교) 우현재 (부산대학교) 권세훈 (부산대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회 학술발표회 초록집 2021년도 한국표면공학회 춘계학술대회
발행연도
2021.6
수록면
129 - 129 (1page)

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CMOS 소자가 축소되면서 기존의 게이트 물질로 사용되고 있던 poly-Si에서 게이트 공핍 효과 (Depletion effect), 붕소 침투 (Boron penetration), 페르미 레벨 피닝 (Fermi-level finning) 현상이 일어나 poly-Si의 한계점을 보인다. 이러한 poly-Si의 문제점은 표면 저항이 낮고 열 안정성이 높은 금속 전극 재료를 사용함으로써 개선 가능하여 그에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 PMOS와 NMOS에 금속 게이트 전극 재료를 사용하기 위해서는 각각 4.8~5.3 eV, 4~4.5 eV의 일함수가 요구된다. 이 일함수 범위 내에 속하는 Pt와 Ru를 이용한 PMOS 게이트용 전극 물질은 열적 안정성이 높고, 게이트용 전극 물질로서의 특성이 우수함이 앞선 연구를 통해 밝혀졌다.
본 연구에서는 Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)를 이용해 Pt-sub cycle과 Ru-sub cycle로 구성된 Pt, ... 전체 초록 보기

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