SiGe HBT의 Current Gain특성 개선

송오성; 이상돈; 김득중

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자료유형: 학술저널

저자정보: 송오성 이상돈 김득중

저널정보: 한국산학기술학회 한국산학기술학회 학술대회논문집 한국산학기술학회 2004년도 춘계학술발표대회 논문집

발행연도: 2004.6

수록면: 62 - 64 (3page)

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초고속 RF IC의 핵심소자인 SiGe에피택시층을 가진 이종양극트란지스터 (hetero junction bipolar tansistor: HBT)를 0.35um급 CMOS공정으로 제작하였다. 이때 low VBE영역에서의 Current Gain의 선형성을 향상시키기 위하여 Capping 실 ... 전체 초록 보기

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