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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제5권 제4호
발행연도
2004.8
수록면
367 - 370 (4page)

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초고속 RF IC의 핵심소자인 SiGe 에피텍시층을 가진 이종양극트란지스터(hetero junction bipolar transistor: HBT)를 0.35㎛급 Si-Ge BiCMOS공정으로 제작하였다. 낮은 VBE영역에서의 current gain의 선형성을 향상시키기 위하여 SiGe 에피텍시층의 결함밀도를 감소시킬 수 있는 캐핑실리콘의 두께와 EDR 온도의 최적화 공정조건을 알아보았다. 캐핑 실리콘의 두께를 200Å과 300Å으로 나누고 초고속 무선통신에서 요구되는 낮은 노이즈를 위한 EDR(Emitter Drive-in RTA)의 온 도와 시간을 900~1000℃, 0~30 sec로 각각 변화시키면서 최적조건을 확인하였다 실험범위 내에서의 최적공정조건은 300A의 capping 실리콘과 975℃~30sec의 EDR 조건을 확인하였다.
#HBT #SiGe epitaxy #current gains #EDR process #capping silicon

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