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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제5권 제1호
발행연도
2004.2
수록면
13 - 15 (3page)

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고속처리를 위한 나노급의 논리소자의 개발을 위해서는 소스/드레인 영역의 저항을 감소시키는 것이 필수적이다. 반도체소자의 개발 로드맵을 제시하고 있는 ITRS의 보고에 의하면 70㎚급 MOSFEl에서는 채널영역의 저항에 대비하여 그 외의 영역이 나타내는 저항성분이 약 15% 이내로 제작되어야 할 것으로 예측하고 있다. 이 기준을 유지하기 위해서는 소스/ 드레인 영역의 각 ... 전체 초록 보기

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