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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이준하 (상명대학교 컴퓨터시스템공학) 이흥주 (상명대학교 컴퓨터시스템공학) 문원하 (중앙대학교 전자전기공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체장비학회지 한국반도체장비학회지 제2권 제2호
발행연도
2003.1
수록면
17 - 20 (4page)

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The current drive in an MOSFET is limited by the intrinsic channel resistance. All the other parasitic elements in a device structure playa significant role and degrade the device performance. These other resistances need to be less than 10%-20% of the channel resistance. To achieve the requirements, we should investigate a methodology of separation and quantification of those resistances. In this paper, we developed the extraction method of resistances using calibrated TCAD simulation. The resistance of the extension region is also partially determined by the formation of a surface accumulation region that forms under the gate in the tail region of the extension profile.
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