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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
이준하 (상명대학교 컴퓨터시스템공학전공) 이흥주 (상명대학교 컴퓨터시스템공학전공) 이주율 (중앙대학교 전자전기공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 춘계학술대회 발표 논문집
발행연도
2003.1
수록면
112 - 115 (4page)

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Sub-90nm급 high speed 소자를 위해서는 extension영역의 shallow junction과 sheet 저항의 감소가 필수적이다. 일반적으로 기생저항은 channel저항의 약 10-20%정도를 차지하도록 제작되므로, 이를 최소화하여 optimize하기 위해서는 기생저항에 대한 성분 분리와 이들이 가지는 저항값에 대한 정량적 계산이 이루어져야 한다. 이에 본 논문은 calibration된 TCAD simulation을 통해 90nm급 Tr. 에서 각 영역의 저항성분을 계산, 평가하는 방법을 제시한다. 이 결과, 특히, extension영역의 표면-accumulation부분이 가장 개선이 있어야 할 부분으로 분석되었으며, 이 저항은 gate하부에 존재하는 extension으로부터 발if되는 측면 doping의 tail영역으로 인해 형성되는 것으로,doping의 abruptness가 가장 중요한 factor인 것으로 판단된다.

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