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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 274 - 276 (3page)
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Annealing after gate dielectric deposition is a critical step for enhancing the quality of the insulator. However, thermal annealing of HfO<SUB>2</SUB> is known as forming the native oxide at the interface, so that it leads to degradation of SS and g<sub>m</sub> of GaN device. The rapid thermal annealing (RTA) at 900℃ after HfO<SUB>2</SUB> gate dielect ... 전체 초록 보기
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