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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.6
- 수록면
- 55 - 66 (12page)
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파워 게이팅은 반도체 칩의 누설전류(leakage current)를 감소시키는 데 효과적인 기술로 알려져 있으며, 전원 차단용 파워 게이팅 셀 (power-gating cell, PGC)에서의 IR drop 증가로 인한 성능 및 신뢰성 저하에 대해 많은 연구가 이루어져왔다. 그러나 최신 공정에서는 트랜지스터 사이즈 감소 추세에도 불구하고 금속 배선의 스케일링이 제한됨에 따라, IR drop에 견고한 파워 게이팅 설계 시 셀 배치와 금속 배선 면적을 고려한 새로운 접근 방식이 필요하다. 본 논문에서는 셀 점유율(cell utilization)과 소모 전류에 근거한 로직 셀 배치 기법을 통해 PGC 면적 및 IR drop을 개선한 파워 게이팅 설계 방법을 제안한다. 28nm 공정으로 제조된 스마트폰용 어플리케이션 프로세서(Application processor, AP) 내 고속 디지털 코어에 적용한 결과 기존 PGC 배치 기법 대비 PGC 면적은 12.59∼16.16%, 최대 IR drop은 8.49% 감소함을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 관련 연구 및 배경
Ⅲ. 제안하는 방법
Ⅳ. 실험
Ⅴ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (23)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - Shi-Hao Chen / 2013 / Power-up sequence control for MTCMOS designs / IEEE Trans. Very Large Scale Integration Systems 21 (3) : 413 ~ 423
[인터넷자원] - Preeti Gupta / / Be Early with Power
[학술대회논문] - Khalil DiaaEldin / 2006 / Optimum sizing of power grids for IR drop / Proceeding of 2006 IEEE International Symposium Circuits and Systems(ISCAS) : 481 ~ 484
[학술대회논문] - Lee Kee Yong / 2010 / Power density aware power gate placement optimization scheme / Proceeding of 2010 2nd Asia Symp. Quality Electronic Design(ASQED) : 38 ~ 42
[학술대회논문] - Shi, Kaijian / 2007 / Simultaneous sleep transistor insertion and power network synthesis for industrial power gating designs / Proceeding of 2007 Quality Electronic Design 07 8th ’International Symp. (ISQED) : 362 ~ 367
[인터넷자원] - Preeti Gupta / / Be Early with Power
[학술대회논문] - Khalil DiaaEldin / 2006 / Optimum sizing of power grids for IR drop / Proceeding of 2006 IEEE International Symposium Circuits and Systems(ISCAS) : 481 ~ 484
[학술대회논문] - Lee Kee Yong / 2010 / Power density aware power gate placement optimization scheme / Proceeding of 2010 2nd Asia Symp. Quality Electronic Design(ASQED) : 38 ~ 42
[학술대회논문] - Shi, Kaijian / 2007 / Simultaneous sleep transistor insertion and power network synthesis for industrial power gating designs / Proceeding of 2007 Quality Electronic Design 07 8th ’International Symp. (ISQED) : 362 ~ 367
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