ZnO 바리스터의 유전특성과 등가회로

盧壹守; 姜大夏

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자료유형: 학술저널

저자정보: 盧壹守 (부경대학교) 姜大夏 (부경대학교)

저널정보: 대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제56권 제12호

발행연도: 2007.12

수록면: 2,166 - 2,172 (7page)

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In this study a low-signal equivalent circuit based on the Double Schottky Barrier model is proposed for ZnO-based varistor. Since pin-lead inductance and stray capacitance are considered in pin-lead type ZnO varistor these inductance and capacitance could be removed from the experimental dielectric data of the varistor. According to the equivalent circuit simulation results the higher the varistor-voltage of varistor sample the capacitance of dielectric layer is larger, and the capacitances of semiconducting layer and depletion layer are smaller, while the parallel resistances of semiconducting layer and depletion layer are more larger values. Spectra of the dielectric loss factor tanδ show 2 peaks in low frequency and high frequency regions respectively. The low-frequency peak is due to the relaxation by deep donors and the high-frequency peak is due to the relaxation by shallow donors.
Above results are well consistent with the theoretical mechanism of ZnO varistor.

#Double Schottky Barrier model #semiconducting layer #depletion layer #shallow donor #deep donor

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2. [학술지(정기간행물)] - / 1985 / Group Ⅲ Impurity Doped Zinc Oxide Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

3. [학술지(정기간행물)] - / 1995 / zinc oxide varistor gas sensors: effect of Bi2O3 content on the H2-sensing properties 78 (9) : 2301 ~ 2306

4. [학술지(정기간행물)] - / 1996 / Mechanisms behind green photoluminescence in ZnO phosphor powders 79 (10) : 7983 ~ 7990

5. [학술지(정기간행물)] - / 1997 / Effect of buffer layer and substrate surface polarity on the growth by molecular beam epytaxy of GaN on ZnO 71 (21) : 3111 ~ 3113

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