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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김진욱 (동아대학교) 김창완 (동아대학교)
저널정보
한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제19권 제7호(JKIIT, Vol.19, No.7)
발행연도
2021.7
수록면
75 - 81 (7page)
DOI
10.14801/jkiit.2021.19.7.75

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본 논문에서는 28nm CMOS 공정을 사용하여 3~4GHz 대역 5G 기지국용 수신기에 적용할 수 있는 가변이득 저잡음 증폭기 구조를 제안한다. 제안하는 가변이득 저잡음 증폭기는 2개의 RF 증폭기와 1개의 PI-형 저항감쇄기의 조합으로 구성된다. 개별 RF 증폭기는 광대역 특성과 칩 면적을 줄이기 위하여 저항 피드백 구조를 채택하였으며, 저항 감쇄기는 8-비트 디지털 컨트롤 신호에 의해 1dB 단계로 이득 조절이 가능하다. 따라서, 제안하는 가변이득 저잡음 증폭기는 서브-기가 기지국용 5G 수신기의 전압이득, 잡음 특성, 그리고 선형특성을 동시에 개선시킬 수 있다. 모의실험 결과, -12dB에서 +13dB까지 1-dB 단계로 24dB 범위에 걸쳐 전압 이득을 정확하게 컨트롤 할 수 있으며, 최대/최소 전압 이득일 때, 각각 잡음 지수는 3.84dB/12.34dB, 선형특성 (IIP3)은 –7.7dBm/+30.39dBm을 제공한다. 저잡음 증폭기는 1.2V 전압으로부터 최대 전압 이득에서 22.2mA를 소모한다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 가변이득 저잡음 증폭기 설계
Ⅲ. 모의실험 결과 및 분석
Ⅴ. 결론 및 향후 과제
References

참고문헌 (3)

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