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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 49 - 54 (6page)
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In this paper, recent researches on new and renewable energy have been conducted due to problems such as energy exhaustion and environmental pollution, and new researches on high efficiency and high speed switching are needed. Therefore, we compared the efficiency by using high speed switching devices instead of IGBT which can't be used in high speed switching. The experiment was performed theoretically by applying the same parameters of the high speed switching devices which are the Cool MOS of Infineon Co., SiC C3M of Cree, and GaN FET device of Transform, by implementing the DC-DC boost converter and measuring the actual efficiency for output power and frequency. As a result, the GaN FET showed good efficiency at all switching frequency and output power.
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Hong Jung Man / 2011 / A Study on the New and Renewable Energy Evaluation Items of Private Enterprise Applying AHP Technique / Energy Economics Research 10(1):115~116
ChungYeon Won / 2015 / Power Electronics Understanding from Principle: From Basic to Application / Hanvit Academy :194~209
Riccardo Pittini / 2014 / High current planar transformer for very high efficiency isolated boost dc-dc converters / IEEE, 2014 International Power Electronics Conference(IPEC-Hiroshima 2014-ECCE ASIA) :3905
Nitai Pal / 2010 / Energy efficient solar CFL lighting system using MOSFET based high frequency inverter for remote areas / IEEE, 2010 The 2nd International Conference on Computer and Automation Engineering (ICCAE) :646~647
Infineon / IPW65R019C7 650VCoolMosTM C7 Power Transistor
ChungYeon Won / 2015 / Power Electronics Understanding from Principle: From Basic to Application / Hanvit Academy :194~209
Riccardo Pittini / 2014 / High current planar transformer for very high efficiency isolated boost dc-dc converters / IEEE, 2014 International Power Electronics Conference(IPEC-Hiroshima 2014-ECCE ASIA) :3905
Nitai Pal / 2010 / Energy efficient solar CFL lighting system using MOSFET based high frequency inverter for remote areas / IEEE, 2010 The 2nd International Conference on Computer and Automation Engineering (ICCAE) :646~647
Infineon / IPW65R019C7 650VCoolMosTM C7 Power Transistor
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