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이용수
Abstract
1. 서론
2. MDRANGE 계산 방법 및 개선 사항
3. 개선된 MDRANGE을 이용한 극 저에너지 이온주입 시뮬레이션 결과 및 분석
4. 결론
참고문헌
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향상된 MDRANGE을 사용한 초미세 접합 형성에 관한 연구 ( A Study on Ultra-Shallow Junction Formation Using Upgraded MDRANGE )
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
초미세 접합형성을 위한 극 저 에너지 B , P 및 As 이온주입시 채널링 현상에 관한 연구 ( A Study on the Channeling Effect of Ultra Low Energy B , P and As Ion Implant to Form Ultra-Shallow Junction of Semiconductor Device )
전자공학회논문지-D
1999 .03
역전법을 응용한 실리사이드화된 매우 얇은 접합의 형성 ( Formation of Silicided Ultra-Shallow Junction employing Layer Reversal Method )
전자공학회논문지-A
1996 .08
선비정절화를 이용한 Shallow p+-n 접합 형성에 관한 연구 ( A Study on the Formation of Shallow p+-n Junctions Using Preamorphization )
전자공학회논문지-A
1991 .09
동시 접합 공정에 의한 자기정렬 코발트 실리사이드 및 얇은 접합 형성에 관한 연구 ( A Study on the Self-Aligned Cobalt Silicidation and Formation of a Shallow Junction by Concurrent Junction Process )
전자공학회논문지-A
1992 .02
FORMATION OF ULTRA SHALLOW JUNCTION USING ADDITIONAL RAPID THERMAL ANNEALING ( RTA ) PROCESS
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1995 .01
Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P+-N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적특성
대한전자공학회 학술대회
1997 .06
BF2+가 이온 주입된 코발트로부터 확산하여 얻어진 매우 얇은 p+ / n 접합의 형성 ( Formation of Ultra-shallow p+ / n Junction by Diffusion from BF2+ Implanted Co Metal )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P+ -N 극저접합의 형성 ( Formation of P-N Ultra Shallow Junction with The Co / Ti Bilayer Silicide Contact )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 p+ - n 극저접합의 형성 ( Formation of p+ - n Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact )
전자공학회논문지-D
1998 .05
에피 코발트 실리사이드막으로 부터의 붕소 확산을 이용한 극저층 p+n 접합 형성 ( Ultra Shallow p+n Junction Formation Using the Boron Diffusion from Epi-Co Silicide )
전자공학회논문지-A
1996 .07
6H-SiC P^(+)n 접합의 항복 전압을 위한 해석적 모형 ( Analytical Model of Breakdown Voltages for 6H-SiC p^(+)n Junction )
전자공학회논문지-SD
2001 .06
투과전자현미경을 이용한 $n^+$/p 접합에서 불순물의 이차원적 분포에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
$CoSi_2$를 확산원으로 형성한 매우 얇은 접합의 전기적 특성
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
$CoSi_2$ 에피박막을 확산원으로 이용한 매우 얇은 접합의 형성
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
고속열확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리사이드화 된 n+ -P 다이오드 특성분석 ( The formation of the Shallow Junction by Rapid Thermal Diffusion and characteristic Analysis for n+ -p Diode with Ti-silicide )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti - 실리사이드화된 n - p 다이오드 특성 분석 ( The Formation of the Shallow Junction by RTD Characteristic Analysis for n - p Diode with Ti - silicide )
전자공학회논문지-A
1994 .08
커패시턴스 측정을 통한 부정형 접합을 갖는 pn 접합의 유효 접합 면적 및 반송자 수명의 추출
대한전자공학회 학술대회
2009 .07
Formation of Shallow p+ -n Junction by B+ Implantation Through As+ - Preamorphized Si
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
이온주입 및 열처리 조건에 따른 박막접합의 특성 비교 ( Comparison of Shallow Junction Properties depending on Ion Implantation and Annealing Conditions )
전자공학회논문지-D
1998 .07
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