선택 실리콘 증착에 의해 제조된 Raised Source / Drain MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Raised Source / Drain MOSFET fabricated by Selective Silicon Deposition )

김영옥 ,  박순오 ,  이내인 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석 ( Analysis of a Novel Elevated Source Drain MOSFET with Reduced Gate-Induced Drain Leakage and High Driving Capability )

김경환 ,  최장순 ,  김정태 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .06

드레인 전압변화 스트레스에 의한 P-MOSFET의 열화 특성 ( Degradation Characteristics of p-MOSFET's by Various Drain Voltage stress )

정연식 ,  권상수 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

A Simple Model for Gate Voltage Dependence of the Drain Saturation Voltage in Short Channel MOSFET's with Lightly Doped Drains

J. I. Lee ,  M. B. Lee ,  K. N. Kang 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

Power MOSFET에서 Source voltage 저하에 관한 Failure analysis

정재성 ,  김종문 ,  이재혁 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

비대칭 채널을 갖는 고전압 Extended-Drain MOSFET의 스위칭 및 아날로그 특성

백기주 ,  나기열 ,  이주형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2012 .06

Asymmetric 고 내압 MOSFET의 구조적 변화에 따른 고온 영역에서의 전기적 특성 분석

최인철 ,  이조운 ,  박태수 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2005 .11

Optimizing Effective Channel Length to Minimize Short Channel Effects in Sub-50 ㎚ Single/Double Gate SOI MOSFETs

Sudhansh Sha ,  ma ,  Pawan Kuma

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2008 .06

대칭형 이중 게이트 MOSFET에 대한 문턱전압 연구

이정일 ,  신진섭

한국인터넷방송통신학회 논문지

2010 .01

MOSFET에서 게이트전압에 의존하는 소오스 / 드레인 저항을 추출하는 간단한 방법 ( Simple Extraction Method for Gate-Voltage Dependent Source / Drain Resistance in MOSFETs )

이명복 ,  이정일 ,  강광남 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

LDD MOSFET의 유효 채널길이의 새로운 측정법

許允宗 ,  金鍾寬 ,  成英權

전기학회논문지

1993 .07

EPS용 MOSFET 드레인 전류 측정 방법에 관한 연구

원우석 ,  이형욱 ,  고수현 외 5명

한국자동차공학회 춘 추계 학술대회 논문집

2008 .11

High Voltage MOSFET의 DC 해석 용 SPICE 모델 파라미터 추출 방법에 관한 연구

박승만

전기학회논문지

2011 .12

전력 MOSFET

崔然益

전기의세계

1985 .05

드레인이 As-P의 이중 확산구조를 갖는 MOSFET의 제작 및 평가 ( The Fabrication and Evaluation of an As-P Double Diffused Drain MOSFET )

김광수 ,  백규하 ,  김보우

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

N-Channel MOSFET에 있어서 Threshold Voltage의 특성 ( Characteristics of the Threshold Voltage in a N-Channel MOSFET )

유종선 ,  강진영 ,  이만구 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1982 .01

불규칙한 소오스/드레인 금속 접촉을 갖는 비대칭 n-MOSFET의 전기적 특성 및 모델

공동욱 ,  정환희 ,  이재성 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

고 집적을 위한 n-channel MOSFET의 소오스/드레인 구조의 특성 비교에 관한 연구 ( A Study on the Characteristics Comparison of Source/Drain Structure for VLSI in n-channel MOSFET )

류장렬 ,  홍봉식

전자공학회논문지-A

1993 .12

저전력 응용을 위한 28 ㎚ 금속 게이트/high-k MOSFET 디자인

林土羽 ,  張晙瑢 ,  金榮珉

전기학회논문지

2008 .02

LDD MOSFET의 유효 채널길이 측정법에 관한 연구

박근영 ,  허윤종 ,  이계신 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1992 .07