Silicon Selective Epitaxial Growth를 이용한 Elevated Source/Drain의 높이가 MOSFET의 전류-전압 특성에 미치는 영향 연구

이기암 ,  김영신 ,  박정호

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .07

Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석 ( Analysis of a Novel Elevated Source Drain MOSFET with Reduced Gate-Induced Drain Leakage and High Driving Capability )

김경환 ,  최장순 ,  김정태 외 1명

전자공학회논문지-SD

2001 .06

Symmetric high voltage MOSFET의 extended source/drain 길이에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석

임동주 ,  최인철 ,  노태문 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2003 .11

불규칙한 소오스/드레인 금속 접촉을 갖는 비대칭 n-MOSFET의 전기적 특성 및 모델

공동욱 ,  정환희 ,  이재성 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

Optimizing Effective Channel Length to Minimize Short Channel Effects in Sub-50 ㎚ Single/Double Gate SOI MOSFETs

Sudhansh Sha ,  ma ,  Pawan Kuma

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2008 .06

드레인 전압변화 스트레스에 의한 P-MOSFET의 열화 특성 ( Degradation Characteristics of p-MOSFET's by Various Drain Voltage stress )

정연식 ,  권상수 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

EPS용 MOSFET 드레인 전류 측정 방법에 관한 연구

원우석 ,  이형욱 ,  고수현 외 5명

한국자동차공학회 춘 추계 학술대회 논문집

2008 .11

전력 MOSFET

崔然益

전기의세계

1985 .05

고 집적을 위한 n-channel MOSFET의 소오스/드레인 구조의 특성 비교에 관한 연구 ( A Study on the Characteristics Comparison of Source/Drain Structure for VLSI in n-channel MOSFET )

류장렬 ,  홍봉식

전자공학회논문지-A

1993 .12

드레인이 As-P의 이중 확산구조를 갖는 MOSFET의 제작 및 평가 ( The Fabrication and Evaluation of an As-P Double Diffused Drain MOSFET )

김광수 ,  백규하 ,  김보우

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

저전력 응용을 위한 28 ㎚ 금속 게이트/high-k MOSFET 디자인

林土羽 ,  張晙瑢 ,  金榮珉

전기학회논문지

2008 .02

Effect of Implant Tilt Angle on the Electrical Properties of Source / Drain Junctions in Submicron MOSFET's

Y. G. Yi ,  C. T. Kim ,  C. G. Ko 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

Elevated Polysilicon source/drain 구조와 고유전율 절연막을 적용한 초미세 SOI MOSFET 의 제작 및 특성 연구

임기주 ,  조원주 ,  안창근 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

Self-Aligned된 다결정 실리콘 소오스와 드레인을 갖는 새로운 MOSFET의 제작 ( A New MOSFET Structure with Self-Aligned Polysilicon Source and Drain Electrodes )

오춘식 ,  김충기

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

몬테 칼로 방법을 이용한 실리콘 MOSFET의 드레인영역에서 77K와 300K의 Impact Ionization 특성

이준구 ,  박영준 ,  한민구

대한전기학회 학술대회 논문집

1989 .07

Silicide 소스 / 드래인 기술을 이용한 저 전력 MOSFET 소자의 특성 ( The electrical Properites of Low Power Silicide Source / Drain MOSFET Device )

구경환 ,  남형진 ,  조남인

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

이중 확산 MOSFET의 C-V 특성

배동건 ,  정상구 ,  최한묵 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

이중 확산 MOSFET의 C-V특성 ( C-V Characteristics of Double diffused MOSFET )

최한묵 ,  배동건 ,  정상구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

전력 MOSFET 소자의 γ선 영향

손주형 ,  김재환 ,  노영환

제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집

2004 .11

MOSFET에서 게이트전압에 의존하는 소오스 / 드레인 저항을 추출하는 간단한 방법 ( Simple Extraction Method for Gate-Voltage Dependent Source / Drain Resistance in MOSFETs )

이명복 ,  이정일 ,  강광남 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07