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학술대회자료
저자정보
백기주 (충북대학교) 나기열 (충북도립대학) 이주형 (충북대학교) 김영석 (충북대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2012년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2012.6
수록면
339 - 342 (4page)

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In this paper, we discuss the design consideration for an 20V class p-channel high-voltage extended drain metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (HV EDMOS) with a lateral asymmetric channel (LAC) doping profile. We employed a 0.18um complementary MOSFET technology for fabrication of these devices. Overlap lengths of the gate and the LAC doping were 0.5, 1.0, 1.5 and 1.8 ㎛, respectively to compare electrical characteristics. Our results show that device with shorter overlap length has better switching and analog performance such as drain current, on-resistance, transconductance, early voltage and intrinsic gain.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 구조 및 제작
Ⅲ. 측정 결과 및 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌

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