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유욱상 (충남대학교) 한인식 (충남대학교) 주한수 (충남대학교) 손영환 (충남대학교) 구태규 (충남대학교) 최원호 (충남대학교) 최성욱 (매그나칩 반도체) 임민규 (매그나칩 반도체) 강영석 (매그나칩 반도체) 이정환 (매그나칩 반도체) 왕진석 (충남대학교) 이가원 (충남대학교) 이희덕 (충남대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2006년도 추계학술대회 논문집Ⅱ
발행연도
2006.11
수록면
345 - 348 (4page)

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In this paper, we analyze effect of passivation(Si₃N₄ film) condition under Post-Metallization Annealing on hot carrier degradation. Very thick Si₃N₄(≥ 10000A) prevents H₂ from diffusing into interface(Si-SiO₂), so that hot carrier degradation gets severe. Therefore PMA is performed before Si₃N₄ deposition for hot carrier immunity.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

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